| 半导体技术演进过程，每个时期都曾遇到物理极限，而使人担忧发展是否受限。截至目前，半导体制程碰到的瓶颈，每每透过技术改良或新发明，一一安然突破。在当前DRAM制造产业，显影（lithography）设备仍以传统ArF机台为主力，而传统ArF机台的物理极限在65 nm。小于65nm以下的制程，目前必须透过浸泡式（Immersion）机台才可达成。所谓浸泡式技术，即把在黄光显影镜头与晶圆间的介质由水取代原本的空气，经由水折射率的不同，使晶圆上显影的线距更为缩小，来突破65nm物理极限。而对目前大多处于亏损的DRAM厂而言，购买昂贵的浸泡式机台考验其财务能力。
制程微缩一直是DRAM制造降低成本的有效方法，目前各技术母厂主要制程多在 70nm附近，面对传统ArF机台65nm物理极限，在制程微缩的不归路上，未来只要还想在市场中继续经营一般型DRAM，势必得购买昂贵的浸泡式机台。财务能力为影响跨入浸泡式技术时间先后的要素之一。
全球目前浸泡式机台的主要供货商为ASML、Nikon、Canon。最大供货商ASML截至目前浸泡式机台总出货量已超过70台（以逻辑客户为主），主要机台为Twinscan XT1700Fi及XT1900Gi，制程可微缩至40nm以下的XT1900Gi亦开始出货至十余客户。 Nikon则是自2006年开始出货可供55nm与45nm制程使用的NSR-S609B，07年出货供45nm制程使用的NSR-S610C。
除制程微缩外，DRAM制造技术上的另一突破在铜制程的引进。相较于目前的铝制程，在逻辑IC经验中，铜制程较铝制程速度约增快40%、成本约减少30% 、线宽约减少1/3。但即使铜制程在逻辑IC上已有相当成果，DRAM基于特性上的不同，逻辑IC 的铜制程经验并无法完全移转过来。铜固然有导电性佳及上述优点，但亦有因化学活性而较铝容易产生制程上的污染等问题。镁光为第一家开发铜制程的DRAM技术母厂，目前各主要DRAM技术母厂亦着力于铜制程的研发。 温馨提示：如果您想了解更多产品信息请进入“产品库”频道，了解更多产品价格信息请进入“报价”频道。如果您对相关产品信息有任何意见与建议，或有好的资讯线索，请您及时与我们联系，网站热线电话：024-81362829。本频道编辑电子信箱：vga@sanhaostreet.com。您在购买产品时向经销商提及“在网上三好街网站获得的信息”将会享受更好的服务与优惠的价格。 |
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